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MEMS加工

為成就您的產(chǎn)品,而努力

Work hard to make your product

光刻
  • 接觸式光刻
    最小圖形尺寸:1μm,套刻精度:±0.5μm
  • 步進(jìn)式光刻
    投影比例1:5,最小圖形尺寸:0.35μm 套刻精度≤0.15μm(X,Y),曝光范圍<22.5*22.5mm
  • 電子束光刻
    最小圖形尺寸:10nm,套刻精度:40nm 曝光范圍<直徑75mm
  • 雙面對(duì)準(zhǔn)光刻
    最小圖形尺寸:1μm,正面套刻精度:±0.5μm 背面套刻精度:±0.5μm
  • 勻膠/顯影
    正膠:50nm~20μm,負(fù)膠:50~400nm
  • 噴膠
    單次厚度<2μm
  • 熱板/烘箱
    熱板溫度<180℃,烘箱溫度<350℃




案例展示


                                    

                 納米線@PMMA CD 8nm                二維光柵 with CD 50nm                  變直徑納米盤(pán) 誤差±5nm             Φ100um 光波導(dǎo) 線寬700nm








【微納加工探索】晶圓鍵合技術(shù):成功鍵合的關(guān)鍵要素解析
【微納加工探索】晶圓鍵合技術(shù):成功鍵合的關(guān)鍵要素解析

2024-10-23

晶圓鍵合技術(shù),作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一項(xiàng)核心技術(shù),通過(guò)化學(xué)與物理的雙重作用,將兩塊經(jīng)過(guò)鏡面拋光的晶圓(同質(zhì)或異質(zhì))緊密結(jié)合,形成穩(wěn)固的共價(jià)鍵連...

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【半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透視】半導(dǎo)體制造工廠(Fab)人才培養(yǎng)的挑戰(zhàn)與路徑
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2024-10-22

在科技飛速進(jìn)步的今天,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為信息技術(shù)的基石,其戰(zhàn)略地位愈發(fā)凸顯。然而,這一產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展并非自然而然的結(jié)果,而是依賴(lài)于源源不斷的高素...

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十萬(wàn)個(gè)為什么:揭秘“die”——單顆裸芯的別稱(chēng)
十萬(wàn)個(gè)為什么:揭秘“die”——單顆裸芯的別稱(chēng)

2024-10-21

一、晶圓:半導(dǎo)體制造的基石 二、芯片:封裝后的集成電路 三、Die:未封裝的晶粒 四、Die名稱(chēng)的由來(lái) 德語(yǔ)拉絲工藝的聯(lián)系:另一種說(shuō)法認(rèn)為,die的起源...

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【MEMS工藝】蝕刻工藝的精確計(jì)時(shí)
【MEMS工藝】蝕刻工藝的精確計(jì)時(shí)

2024-10-18

    為了構(gòu)建更緊密的幾何形狀和更薄的薄膜,我們需要在蝕刻速率與對(duì)其他操作參數(shù)的精確控制之間找到微妙的平衡,等離子體蝕刻技術(shù)因其高...

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