碳化硅單晶生長(zhǎng)之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒(méi)法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標(biāo)準(zhǔn)的圓柱體，線切割會(huì)把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。晶片的表面會(huì)有損傷，損傷源于本來(lái)晶體生長(zhǎng)的缺陷、前面加工步驟中的破壞。

SiC表面的損傷層可以通過(guò)四種方法去除：

1.機(jī)械拋光，簡(jiǎn)單但會(huì)殘留劃痕，適用于初拋；

2.化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化學(xué)腐蝕去除劃痕，適用于精拋；

3.氫氣刻蝕，設(shè)備復(fù)雜，常用于HTCVD過(guò)程；

4.等離子輔助拋光，設(shè)備復(fù)雜，不常用。

單純的機(jī)械拋光會(huì)產(chǎn)生劃痕，單純的化學(xué)拋光產(chǎn)生非均勻腐蝕，綜合為化學(xué)機(jī)械拋光則物美價(jià)廉。CMP的工作原理：旋轉(zhuǎn)的晶片/晶圓以一定的壓力壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，借助拋光液中納米磨料的機(jī)械研磨作用與各類化學(xué)試劑的化學(xué)作用的結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)平坦化要求。

這一過(guò)程中應(yīng)用到的材料主要包括拋光液和拋光墊。拋光墊使用后會(huì)產(chǎn)生變形，表面變得光滑，孔隙減少和被堵塞，使拋光速率下降，必須進(jìn)行修整來(lái)恢復(fù)其粗糙度，改善傳輸拋光液的能力，一般采用鉆石修整器修整。

知道需要化學(xué)+機(jī)械來(lái)拋光后，典型的化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程如下：

第一步，機(jī)械拋光。用0.5um直徑的金剛石拋光液，拋光表面粗糙度至0.7nm。

第二步，化學(xué)機(jī)械拋光。

1.拋光機(jī)：AP-810型單面拋光機(jī)；

2.拋光壓力200g/c㎡；

3.大盤轉(zhuǎn)速50r/min；

4.陶瓷盤轉(zhuǎn)速38r/min；

5.拋光液組成：以SiO2（30wt%、pH=10.15）為基礎(chǔ)，加入0-70wt%的雙氧水（30wt%、純優(yōu)級(jí)），最后用KOH（5wt%）、HNO3（1wt%）調(diào)節(jié)pH=8.5；

6.拋光液流量3L/min，循環(huán)使用。