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  • PECVD工藝
    PECVD工藝

    2023-07-26

    PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition)是等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積,該技術(shù)是在低氣壓下,利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極...

  • MOCVD金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積
    MOCVD金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積

    2023-07-25

    MOCVD全稱是Metal-Organic Chemical Vapour Deposition(金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積設(shè)備),是在氣相外延(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一...

  • MEMS傳感器的分類及介紹
    MEMS傳感器的分類及介紹

    2023-07-25

    MEMS傳感器種類繁多,主要的MEMS傳感器包括運(yùn)動傳感器、壓力、麥克風(fēng)、環(huán)境、光傳感器等。其中運(yùn)動傳感器可分為陀螺儀、加速度計(jì)、磁力計(jì),&...

  • lift-off工藝中“毛刺”的產(chǎn)生和改善措施
    lift-off工藝中“毛刺”的產(chǎn)生和改善措施

    2023-07-25

    在材料、微電子等研究課題中,制作高品質(zhì)的電極是準(zhǔn)確反映材料或者器件本身性能的前提條件,為此我們需要制作一個(gè)高品質(zhì)的電極。在此,光刻中剝離(li...

  • ICP刻蝕的基本要求
    ICP刻蝕的基本要求

    2023-07-24

    (1)負(fù)載效應(yīng) 刻蝕中還存在負(fù)載效應(yīng),即發(fā)生刻蝕速率變慢的情況。分為宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)??涛g面積很大時(shí),因?yàn)闅怏w傳輸受限和刻蝕氣體耗盡...

  • ALD原子層沉積技術(shù)
    ALD原子層沉積技術(shù)

    2023-07-24

    原子層沉積(Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在...

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