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2023-08-09
1.離子束刻蝕（IBE）技術(shù)的原理？ 離子束刻蝕（IBE，Ion Beam Etching）也稱為離子銑（IBM，Ion Beam Milling），也有人稱之為離子濺射刻...
2023-08-09
刻蝕剖面指的是被刻蝕圖形的側(cè)壁形狀。有兩種基本的刻蝕剖面：各向同性和各向異性刻蝕剖面。各向同性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和縱向）以相同的...
2023-08-08
我們知道半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展有一個很有名的“摩爾定律”，而保證半導(dǎo)體工業(yè)遵循“摩爾定律”發(fā)展的基石是光刻技術(shù)。光刻技術(shù)的發(fā)展始終有都有一個重要的...
2023-08-08
ICP 工藝中影響刻蝕效果的因素很多。工藝參數(shù)里包括源功率、偏壓功率、刻蝕氣體及流量、工作氣壓和溫度等。此外，掩膜的制備和反應(yīng)室內(nèi)壁的情況對刻...
2023-08-07
碳化硅單晶生長之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標準的圓柱體，線切割會把晶碇切割成晶片，...
2023-08-07
顯影是在曝光后的重要步驟，利用曝光區(qū)域在化學(xué)性質(zhì)上與未暴光的區(qū)域不同，在特定的化學(xué)溶液中選擇性的保留曝光區(qū)域（負膠）或者未曝光區(qū)域（正膠）的...
