設(shè)備描述:
此設(shè)備為緊湊型場發(fā)射掃描電鏡,成像分辨率優(yōu)于10nm。低加速電壓成像,有效減少電荷累積,非導(dǎo)電樣品,無須噴金噴碳處理,便可直接進(jìn)行觀察。
工藝能力:
? 電子槍:場發(fā)射電子源
? 加速電壓:0.5 to 2 kV
? 束流:0.2 to 1 nA
? 分辨率:<10 nm (@1kV)
? 放大倍數(shù):250 to 130,000x (2048×2048pixels)
? 樣品尺寸:最大 100×60 mm
? 樣品高度:最大 30 mm